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ASEMI高压MOS管ASE65R330参数：
型号：ASE65R330
漏极-源极电压（VDS）：650V
栅源电压（VGS）：20V
漏极电流（ID）：12.5A
功耗（PD）：30.9W
储存温度（Tstg）：-55 to 150℃
静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：330mΩ
二极管正向电压（VSD）：1.1V
输入电容（Ciss）：470pF
二极管反向恢复时间（trr）：214nS
ASE65R330封装图片：
封装：TO-220F
总长度：28.8mm
本体长度：15.87mm
宽度：10.16mm
高度：4.7mm
脚间距：2.54mm
ASE65R330特征：
超低RDS（ON）=330mΩ@VGS=10V。
超低栅极电荷，Qg=27.2nC典型值。
快速切换能力
具有更好EAS性能的稳健设计
EMI改进设计
