深力科本周知识小课堂【分立半导体】晶体管（上）基础知识，微电子人的狂欢
今天，东芝深力科电子将为大家说明一下双极晶体管和绝缘栅双极晶体管。
晶体管大致分为三种类型：双极型、场效应型和绝缘栅双极型。
双极晶体管属于电流驱动器件。场效应晶体管（FET）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）属于电压驱动器件。
- 双极晶体管（BJT）
双极晶体管有两种类型：NPN型和PNP型。NPN型产品涵盖低耐受电压到高耐受电压产品。耐受电压为400V或以下的PNP型产品，特别是耐受电压为200V或以下的PNP型产品是主流产品。
它们有放大功能，可以将小信号转换成大信号。集电极电流IC与基极电流IB（IC／IB）之比称为直流电流增益，用hFE表示。
当小电流（IB）从基极流向发射极时，IB×hFE的电流IC从集电极流向发射极。
内置偏置电阻型晶体管（BRT）
内置偏置电阻型属于双极晶体管的一种，通常配合电子设备中的电阻器使用。通过插入电阻实现对输入电流更加稳定的控制，并且可以减少安装面积。 
- 结型场效应晶体管（JFET）
结型场效应晶体管是通过改变外加电压产生的电场强度来控制其导电能力的半导体器件。它具有输入电阻高、热稳定性好、抗辐射能力强、噪声低、制造工艺简单、便于集成等特点。
施加在栅极和源极间的电压的大小和方向决定着耗尽层的大小，从而控制通过电流的状态。
MOSFET
MOSFET的全称为金属氧化物半导体场效应晶体管，根据其通道的极性不同分为N沟道（左图）和P沟道（右图）两种类型。N沟道型广泛用于AC／DC电源、DC／DC转换器、逆变器设备等，而P沟道型则用于负载开关、高边开关等。
这次介绍了双极晶体管（BJT）、场效应晶体管（FET）这两大类。其中BJT晶体管的输入阻抗低、反向电容大、安全工作区域较小；而作为场效应晶体管的代表，MOSFET除了高输入阻抗、小反向转移电容、安全工作区域范围大，还具有栅极功耗低和易于驱动的特点。因此MOSFET也成为了目前最受关注的晶体管类型。
