点缺陷：

在一定的温度下，组成晶体的格点原子在平衡位置附近做振动，这些振动就会有强有弱，这样会使得一部分原子可以获得足够的能量，而挣脱周围电子对它的束缚，挤入间隙位置，这样的结果就形成了间隙原子和相应的空位，间隙原子核相应的空位是成对出现，称为Frenkel缺陷

若间隙原子运动到样品表面，形成了新的原子层，则样品的体内只有空位存在，我们把这种只有空位没有间隙原子的缺陷称为Schottky肖特基缺陷

在一个样品中，肖特基缺陷和弗伦克尔缺陷是同时存在的，但是这两个缺陷从数量上来看，肖特基缺陷的浓度，远高于弗伦克尔缺陷的浓度，原子挤入间隙所需要的能量比较高，振动能量大，可以依次挤到表面，所以更多观察到的是肖特基缺陷

 对于Si和Ge这样的元素半导体来说，空位周围的四个原子各有一个未成对的价电子，这些价电子倾向于接受电子，形成饱和共价键，起的是受主的作用，对于间隙原子来说，自身存在四个未成对的价电子，可以起到施主的作用，也可以从其他地方夺电子，可以起到受主的作用

在三五族化合物半导体当中，以砷化镓为例，点缺陷的来源

1.热振动 热振动分为两种情况，Ga挤入间隙，As挤入间隙

2.成分偏离了正常的化学比，这也会造成点缺陷（Ga偏多的话，就会形成As的空位，反之亦然）

二元化合物半导体可以写成AB，三族在前，五族在后，替位原子缺陷，A取代了B，记作Ab，是价电子少的，取代加电子多的，起的是受主作用，B取代A，记作Ba,起的是施主作用，所谓的替位原子缺陷

刃型位错

 

组成晶体的原子严格周期性排列

 大家看这个时候上面列数比下方多，就会出现一个电子悬挂在那，没有形成共价键，这里的话，可以是一串施主，也可以是一串受主

我们还可以从能带图上来看，上方共价键结合的更紧，所以对于压缩区域来说禁带宽度变得更大，在同样的区间内，晶格被拉伸，这一块相当于禁带宽度变窄，所以左边变宽的对应的压缩区，而下半部分对应的是伸长区