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MUR1100在DO-41封装里采用的1个芯片，其尺寸都是50MIL，是一款快恢复二极管。MUR1100的浪涌电流Ifsm为35A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MUR1100采用GPP硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。MUR1100的电性参数是：正向电流(Io)为1A，反向耐压为1000V，正向电压(VF)为1.75V，反向恢复时间（trr）为75NS，其中有2条引线。

 

MUR1100参数描述

型号：MUR1100

封装：DO-41

特性：快恢复二极管

电性参数：1A 1000V

芯片材质：GPP硅芯片

正向电流(Io)：1A

芯片个数：1

正向电压(VF)：1.75V

芯片尺寸：50MIL

浪涌电流Ifsm：35A

漏电流(Ir)：10uA

反向恢复时间（trr）：75NS

工作温度：-55~+150℃

引线数量：2

MUR1100插件封装系列。它的本体长度为5.2mm，加引脚长度为56.0mm，宽度为2.7mm，高度为2.7mm，脚宽度为0.9mm。